Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 8.3271 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH10H017LPDQ-13
Numer produktu DigiKey	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH10H017LPDQ-13
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerDI5060-8 (typ. E)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Ta), 59A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	17,4mOhm przy 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	28,6nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1986pF przy 50V
Moc - maks.	1,5W (Ta), 93W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerDI5060-8 (typ. E)
Bazowy numer produktu	DMTH10