Name: DMT616MLSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT616MLSS-13TR-ND
Price: 3.444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT616MLSS-13
Numer produktu DigiKey	31-DMT616MLSS-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMT616MLSS-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMT616MLSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT616MLSS-13
Opis	MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 10A (Ta) 1,39W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13.6 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 785 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1,39W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14mOhm przy 8,5A, 10V	Bazowy numer produktu DMT616

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 309

Zapas fabryczny: 15 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)