Name: DMT32M6LDG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT32M6LDG-13TR-ND
Price: 9.8892 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT32M6LDG-13
Numer produktu DigiKey	31-DMT32M6LDG-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMT32M6LDG-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMT32M6LDG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT32M6LDG-13
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerDI3333-8 (typ G)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 400µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15,6nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2101pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,1W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 21A (Ta), 47A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerDI3333-8 (typ G)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,5mOhm przy 18A, 10V	Bazowy numer produktu DMT32