Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 12.9027 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT12H007LPS-13
Numer produktu DigiKey	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT12H007LPS-13
Opis	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 90A (Tc) 2,9W Montaż powierzchniowy PowerDI5060-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 49 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3224 pF @ 60 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2,9W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 120 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 90A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerDI5060-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,8mOhm przy 30A, 10V	Bazowy numer produktu DMT12