Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny

DMT10H032LDVWQ-13 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 31-DMT10H032LDVWQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMT10H032LDVWQ-13 |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 40 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 6,9A (Ta) 1,2W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerDI3333-8 (SWP) (typ UXD) |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 11,9nC przy 10V |
Producent Diodes Incorporated | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 683pF przy 50V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) | Moc - maks. 1,2W (Ta) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Klasa Motoryzacja |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,9A (Ta) | Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 32mOhm przy 5A, 10V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerDI3333-8 (SWP) (typ UXD) |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT10H032LDVW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT10H032LDVW-13TR-ND | 1,14789 zł | Odpowiednik parametryczny |
| DMT10H032LDVW-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT10H032LDVW-7TR-ND | 1,20464 zł | Odpowiednik parametryczny |
| DMT10H032LDVWQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT10H032LDVWQ-7TR-ND | 1,47094 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,30832 zł | 3 924,96 zł |
| 6 000 | 1,21455 zł | 7 287,30 zł |
| 9 000 | 1,19394 zł | 10 745,46 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1,30832 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1,60923 zł |

