Name: DMT10H010LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LK3-13DITR-ND
Price: 9.8031 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT10H010LK3-13
Numer produktu DigiKey	DMT10H010LK3-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMT10H010LK3-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMT10H010LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT10H010LK3-13
Opis	MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 68,8A (Tc) 3W (Ta) Montaż powierzchniowy TO-252-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 53.7 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2592 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 68,8A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,8mOhm przy 13A, 10V	Bazowy numer produktu DMT10