Name: DMP6018LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP6018LPSQ-13TR-ND
Price: 12.1401 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP6018LPSQ-13
Numer produktu DigiKey	31-DMP6018LPSQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMP6018LPSQ-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMP6018LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP6018LPSQ-13
Opis	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 60A (Tc) 2,6W (Ta), 113W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerDI5060-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMP6018LPSQ-13 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13.7 nC @ 10 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3505 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,6W (Ta), 113W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerDI5060-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18mOhm przy 17A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA