DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP58D0LFB-7
Numer produktu DigiKey	DMP58D0LFB-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMP58D0LFB-7DICT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP58D0LFB-7
Opis	MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 50 V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Montaż powierzchniowy X1-DFN1006-3
Modele EDA/CAD	DMP58D0LFB-7 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	50 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8Ohm przy 100mA, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	27 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	470mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X1-DFN1006-3
Obudowa / skrzynia	3-UFDFN
Bazowy numer produktu	DMP58