Name: DMP3097L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP3097L-13TR-ND
Price: 0.355 PLN
Availability: OutOfStock

DMP3097L-13 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,34070 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,42878 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,42878 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP3097L-13
Numer produktu DigiKey	31-DMP3097L-13TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP3097L-13
Opis	MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 3,9A (Ta) 1W Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 3,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	563 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMP3097