Name: DMP22D4UFO-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP22D4UFO-7BTR-ND
Price: 2.6568 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP22D4UFO-7B
Numer produktu DigiKey	31-DMP22D4UFO-7BTR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMP22D4UFO-7BCT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMP22D4UFO-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP22D4UFO-7B
Opis	MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 530mA (Ta) 820mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN0604-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	530mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,9Ohm przy 100mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	28.7 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	820mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X2-DFN0604-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	DMP22

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 5 817

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®