Name: DMP2065UQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2065UQ-13TR-ND
Price: 0.40011 PLN
Availability: OutOfStock

DMP2065UQ-13 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,26928 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 331

Cena jednostkowa : 1,54000 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,79000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP2065UQ-13
Numer produktu DigiKey	31-DMP2065UQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP2065UQ-13
Opis	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 4A (Ta) 900mW Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	60mOhm przy 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	808 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	900mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMP2065