DMP3017SFGQ-13 Diodes Incorporated | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

DMP3017SFGQ-13
Numer produktu DigiKey	DMP3017SFGQ-13-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP3017SFGQ-13
Opis	MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 11,5A (Ta) 940mW (Ta) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 11,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2246 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	940mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	DMP3017

DMP3017SFGQ-13