Name: DMN65D8L-7-W
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN65D8L-7-WTR-ND
Price: 0.7503 PLN
Availability: InStock

DMN65D8L-7-W
Numer produktu DigiKey	31-DMN65D8L-7-WTR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN65D8L-7-WCT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN65D8L-7-WDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN65D8L-7-W
Opis	MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	310mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3Ohm przy 115mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	22 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	370mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMN65

Cena jednostkowa bez VAT:	0,61000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	0,75030 zł

DMN65D8L-7-W