Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 2.7798 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN1019USN-7
Numer produktu DigiKey	DMN1019USN-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN1019USN-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN1019USN-7
Opis	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Montaż powierzchniowy SC-59-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN1019USN-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 800mV przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 50.6 nC @ 8 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2426 pF @ 10 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 680mW (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,3A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SC-59-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 2,5V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10mOhm przy 9,7A, 4,5V	Bazowy numer produktu DMN1019

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 19 840

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)