DMN4015LK3-13 Diodes Incorporated | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

DMN4015LK3-13
Numer produktu DigiKey	DMN4015LK3-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN4015LK3-13
Opis	MOSFET N-CH 40V 13.5A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 13,5A (Ta) 2,19W (Ta) Montaż powierzchniowy TO-252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN4015LK3-13 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15mOhm przy 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2072 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,19W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	DMN4015

DMN4015LK3-13