Name: DMN3009LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3009LFVW-13-ND
Price: 1.00375 PLN
Availability: OutOfStock

DMN3009LFVW-13
Numer produktu DigiKey	DMN3009LFVW-13-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3009LFVW-13
Opis	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2000 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	DMN3009

Cena jednostkowa bez VAT:	0,81606 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,00375 zł

DMN3009LFVW-13