Name: DMN2050LFDB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2050LFDB-13DITR-ND
Price: 3.1857 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN2050LFDB-13
Numer produktu DigiKey	DMN2050LFDB-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN2050LFDB-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN2050LFDB-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2050LFDB-13
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 3,3A 730mW Montaż powierzchniowy U-DFN2020-6 (typ B)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN2050LFDB-13 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 389pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 730mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 6-UDFN podkładka odsłonięta
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia U-DFN2020-6 (typ B)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,3A	Bazowy numer produktu DMN2050
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 45mOhm przy 5A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 698

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®