
DMN2016UTS-13 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | DMN2016UTS-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN2016UTS-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN2016UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMN2016UTS-13 |
Opis | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 40 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 8,58A 880mW Montaż powierzchniowy 8-TSSOP |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | DMN2016UTS-13 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Diodes Incorporated | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne), wspólny dren | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 8,58A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 14,5mOhm przy 9,4A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 16,5nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1495pF przy 10V | |
Moc - maks. | 880mW | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-TSSOP (szerokość 0,173", 4,40mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-TSSOP | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,26000 zł | 3,26 zł |
| 10 | 2,03200 zł | 20,32 zł |
| 100 | 1,31990 zł | 131,99 zł |
| 500 | 1,01234 zł | 506,17 zł |
| 1 000 | 0,91325 zł | 913,25 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,78169 zł | 1 954,22 zł |
| 5 000 | 0,71727 zł | 3 586,35 zł |
| 7 500 | 0,68445 zł | 5 133,38 zł |
| 12 500 | 0,64758 zł | 8 094,75 zł |
| 17 500 | 0,62592 zł | 10 953,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,26000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,00980 zł |





