
DMN2014LHAB-7 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | DMN2014LHAB-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN2014LHAB-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN2014LHAB-7DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMN2014LHAB-7 |
Opis | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 9A 800mW Montaż powierzchniowy U-DFN2030-6 (typ B) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 1,1V przy 250µA |
Producent Diodes Incorporated | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16nC przy 4,5V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1550pF przy 10V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 800mW |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne), wspólny dren | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Obudowa / skrzynia 6-UFDFN podkładka odsłonięta |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V | Obudowa dostawcy urządzenia U-DFN2030-6 (typ B) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9A | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13mOhm przy 4A, 4,5V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,09000 zł | 3,09 zł |
| 10 | 1,91400 zł | 19,14 zł |
| 100 | 1,23630 zł | 123,63 zł |
| 500 | 0,94424 zł | 472,12 zł |
| 1 000 | 0,85009 zł | 850,09 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,73042 zł | 2 191,26 zł |
| 6 000 | 0,67013 zł | 4 020,78 zł |
| 9 000 | 0,63941 zł | 5 754,69 zł |
| 15 000 | 0,60489 zł | 9 073,35 zł |
| 21 000 | 0,58445 zł | 12 273,45 zł |
| 30 000 | 0,56459 zł | 16 937,70 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,09000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,80070 zł |


