Name: DMN2008LFU-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2008LFU-7DITR-ND
Price: 4.5879 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN2008LFU-7
Numer produktu DigiKey	DMN2008LFU-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN2008LFU-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN2008LFU-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2008LFU-7
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 14,5A 1W Montaż powierzchniowy U-DFN2030-6 (typ B)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN2008LFU-7 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne), wspólny dren
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14,5A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,4mOhm przy 5,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250A
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42,3nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1418pF przy 10V
Moc - maks.	1W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-UFDFN podkładka odsłonięta
Obudowa dostawcy urządzenia	U-DFN2030-6 (typ B)
Bazowy numer produktu	DMN2008