Name: DMN2008LFU-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2008LFU-7DITR-ND
Price: 4.8093 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN2008LFU-7
Numer produktu DigiKey	DMN2008LFU-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN2008LFU-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN2008LFU-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2008LFU-7
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 14,5A 1W Montaż powierzchniowy U-DFN2030-6 (typ B)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN2008LFU-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250A
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 42,3nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1418pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne), wspólny dren	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa / skrzynia 6-UFDFN podkładka odsłonięta
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14,5A	Obudowa dostawcy urządzenia U-DFN2030-6 (typ B)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5,4mOhm przy 5,5A, 4,5V	Bazowy numer produktu DMN2008

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 824

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)