Name: SSM3J372R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J372RLFTR-ND
Price: 1.6236 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J372R,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J372RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J372RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J372RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J372R,LF
Opis	MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 6A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J372R,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVI
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	42mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+12V, -6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	560 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23F
Obudowa / skrzynia	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
Bazowy numer produktu	SSM3J372

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 33 024

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)