Name: DMHC4035LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMHC4035LSDQ-13TR-ND
Price: 8.0442 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMHC4035LSDQ-13
Numer produktu DigiKey	31-DMHC4035LSDQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMHC4035LSDQ-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMHC4035LSDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMHC4035LSDQ-13
Opis	MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 4,5A (Ta), 3,7A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMHC4035LSDQ-13 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12,5nC przy 10V, 11,1nC przy 10V
Producent Diodes Incorporated	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 574pF przy 20V, 587pF przy 20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1,5W (Ta)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja 2 z kanałem N i 2 z kanałem P (pełny mostek)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A (Ta), 3,7A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 45mOhm przy 3,9A, 10V, 65mOhm przy 4,2A, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMHC4035