Name: DMHC10H170SFJ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC10H170SFJ-13DITR-ND
Price: 8.241 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMHC10H170SFJ-13
Numer produktu DigiKey	DMHC10H170SFJ-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMHC10H170SFJ-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMHC10H170SFJ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMHC10H170SFJ-13
Opis	MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 2,9A, 2,3A 2,1W Montaż powierzchniowy V-DFN5045-12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMHC10H170SFJ-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 z kanałem N i 2 z kanałem P (pełny mostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,9A, 2,3A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9,7nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1167pF przy 25V
Moc - maks.	2,1W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	12-VDFN, podkładka odsłonięta
Obudowa dostawcy urządzenia	V-DFN5045-12
Bazowy numer produktu	DMHC10