Name: DMG9926USD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG9926USD-13DITR-ND
Price: 3.4932 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG9926USD-13
Numer produktu DigiKey	DMG9926USD-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG9926USD-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG9926USD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG9926USD-13
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 8A 1,3W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 900mV przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8,8nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 867pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,3W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A	Bazowy numer produktu DMG9926
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 8,2A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 81 832

Zapas fabryczny: 2 500

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)