Name: DMG9926UDM-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG9926UDMDITR-ND
Price: 3.7515 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG9926UDM-7
Numer produktu DigiKey	DMG9926UDMDITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG9926UDMDICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG9926UDMDIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG9926UDM-7
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 4,2A 980mW Montaż powierzchniowy SOT-26
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMG9926UDM-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 900mV przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8,3nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 856pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 980mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne), wspólny dren	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-23-6
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-26
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,2A	Bazowy numer produktu DMG9926
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 8,2A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 41 637

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)