Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 3.3948 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG3415UFY4Q-7
Numer produktu DigiKey	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG3415UFY4Q-7
Opis	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 16 V 2,5A (Ta) 650mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN2015-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMG3415UFY4Q-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10 nC @ 4.5 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 282 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 650mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 16 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,5A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Obudowa dostawcy urządzenia X2-DFN2015-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 39mOhm przy 4A, 4,5V	Obudowa / skrzynia 3-XDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMG3415

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 33 492

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)