Name: DMG1016V-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1016V-7DITR-ND
Price: 2.3001 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG1016V-7
Numer produktu DigiKey	DMG1016V-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG1016V-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG1016V-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG1016V-7
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 870mA, 640mA 530mW Montaż powierzchniowy SOT-563
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMG1016V-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,74nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 60,67pF przy 16V
Status części Aktywny	Moc - maks. 530mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-563
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 870mA, 640mA	Bazowy numer produktu DMG1016
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 400mOhm przy 600mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 12 054

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)