Name: DMG1012T-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1012T-7DITR-ND
Price: 4.5879 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG1012T-7
Numer produktu DigiKey	DMG1012T-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG1012T-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG1012T-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG1012T-7
Opis	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-523
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMG1012T-7 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	630mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	400mOhm przy 600mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	60.67 pF @ 16 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	280mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-523
Obudowa / skrzynia	SOT-523
Bazowy numer produktu	DMG1012