Name: DMC31D5UDJ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMC31D5UDJ-7DITR-ND
Price: 3.444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMC31D5UDJ-7
Numer produktu DigiKey	DMC31D5UDJ-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMC31D5UDJ-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMC31D5UDJ-7
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 220mA, 200mA 350mW Montaż powierzchniowy SOT-963
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMC31D5UDJ-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,38nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 22,6pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 350mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-963
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-963
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 220mA, 200mA	Bazowy numer produktu DMC31
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,5Ohm przy 100mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 18 240

Zapas fabryczny: 290 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®