Name: DMC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMC3025LSD-13DITR-ND
Price: 3.4932 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMC3025LSD-13
Numer produktu DigiKey	DMC3025LSD-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMC3025LSD-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMC3025LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMC3025LSD-13
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6,5A, 4,2A 1,2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMC3025LSD-13 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 9,8nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 501pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,2W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,5A, 4,2A	Bazowy numer produktu DMC3025
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 20mOhm przy 7,4A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 12 022

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)