BSS84W-7 Diodes Incorporated | Półprzewodniki dyskretne

Produkt BSS84W-7 jest wycofany i nie jest już sprzedawany przez DigiKey.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

Diodes Incorporated

W magazynie: 74 176

Cena jednostkowa : 1,28000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 32 860

Cena jednostkowa : 1,24000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,81000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 4 982

Cena jednostkowa : 0,70000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSS84W-7
Numer produktu DigiKey	BSS84WDITR-ND - Taśma i szpula (TR) BSS84WDICT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	BSS84W-7
Opis	MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 50 V 130mA (Ta) 200mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-323
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSS84W-7 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	50 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	130mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10Ohm przy 100mA, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1mA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	45 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	200mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-323
Obudowa / skrzynia	SC-70, SOT-323
Bazowy numer produktu	BSS84