Name: BSS8402DW-7-F
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BSS8402DW-FDITR-ND
Price: 2.4231 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSS8402DW-7-F
Numer produktu DigiKey	BSS8402DW-FDITR-ND - Taśma i szpula (TR) BSS8402DW-FDICT-ND - Taśma cięta (CT) BSS8402DW-FDIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	BSS8402DW-7-F
Opis	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Montaż powierzchniowy SOT-363
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSS8402DW-7-F Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,5Ohm przy 50mA, 5V
Producent Diodes Incorporated	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 50pF przy 25V, 45pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 200mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P uzupełniający	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V, 50V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-363
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 115mA, 130mA	Bazowy numer produktu BSS8402

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 63 790

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)