CMPDM202PH TR Central Semiconductor Corp | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

CMPDM202PH TR
Numer produktu DigiKey	CMPDM202PHTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Central Semiconductor Corp
Numer produktu producenta	CMPDM202PH TR
Opis	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 2,3A (Ta) 350mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Central Semiconductor Corp
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	88mOhm przy 1,2A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	800 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23F
Obudowa / skrzynia	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia

CMPDM202PH TR