AOTF12N60 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 624
Cena jednostkowa : 2,52000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 490
Cena jednostkowa : 2,65000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 183
Cena jednostkowa : 3,52000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 76
Cena jednostkowa : 2,27000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,60000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,74365 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 27
Cena jednostkowa : 2,27000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 272
Cena jednostkowa : 1,52000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 313
Cena jednostkowa : 3,47000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 378
Cena jednostkowa : 2,05000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 322
Cena jednostkowa : 1,83000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 962
Cena jednostkowa : 1,84000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,19000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 952
Cena jednostkowa : 4,42000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOTF12N60

Numer produktu DigiKey
AOTF12N60-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOTF12N60
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
50 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Nie do nowych projektów
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2100 pF @ 25 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
550mOhm przy 6A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (26)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
FCPF600N60Zonsemi624FCPF600N60Z-ND2,52000 złSimilar
R6007ENXRohm Semiconductor490R6007ENX-ND2,65000 złSimilar
R6009ENXRohm Semiconductor183R6009ENX-ND3,52000 złSimilar
R6009KNXRohm Semiconductor76R6009KNX-ND2,27000 złSimilar
SIHF7N60E-E3Vishay Siliconix0SIHF7N60E-E3-ND2,60000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0003,29578 zł3 295,78 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:3,29578 zł
Cena jednostkowa z VAT:4,05381 zł