AOD6N50 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 4 788
Cena jednostkowa : 6,21000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,60767 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 958
Cena jednostkowa : 10,13000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,77331 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 748
Cena jednostkowa : 10,13000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,52017 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,45150 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,45150 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,11000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 3 309
Cena jednostkowa : 6,54000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 3 549
Cena jednostkowa : 8,26000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 1 699
Cena jednostkowa : 8,47000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 353
Cena jednostkowa : 8,87000 zł
Arkusz danych
Kanał N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOD6N50

Numer produktu DigiKey
785-1482-2-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
AOD6N50
Opis
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,4Ohm przy 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
670 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura robocza
-50°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-252 (DPak)
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.