Wolfspeed

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 1,200 V discrete silicon carbide MOSFETs boost efficiency

Image of 1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs Wolfspeed 1,200 V silicon carbide MOSFETs set the standard for performance, ruggedness, and ease of design-in. Extremely fast switching, ultra-low switching loss, and stable conduction loss over temperature assure significant improvement of system efficiency, power density, and overall BOM cost versus silicon MOSFET and IGBT incumbents. They are designed to optimize high-power applications such as uninterruptible power supplies (UPS), motor drives, switched-mode power supplies (SMPS), renewable energy, EV fast chargers, and more. 

Coupled with the 1,200 V SiC Schottky diodes, these MOSFETs create a powerful combination for higher efficiency in applications with strict requirements. Users can evaluate and optimize the high-speed dynamic switching performance of Wolfspeed SiC MOSFETs SpeedVal™ Kit Modular Evaluation Platform.

Features
  • Low RDS(ON) over temperature
  • Fast, rugged intrinsic silicon carbide body diode
  • High-temperature operation: TJ = +175°C
 
  • Available in package options with a separate Kelvin source pin
  • Reduction of heat-sink requirements
Applications
  • Energy storage
  • Solar inverters
  • EV on- and off-board chargers
 
  • UPS and motor drives
  • EV HVAC motor drives
  • Auxiliary power supplies

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

ObrazManufacturer Part NumberOpisTyp FETTechnologiaNapięcie dren-źródło (Vdss)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3C3M0350120DSICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V1090 - Immediate$27.19Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7C3M0075120JSICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V3569 - Immediate$47.14Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7C3M0075120J-TRSICFET N-CH 1200V 30A TO263-7Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V283 - Immediate$47.14Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3C3M0075120DSICFET N-CH 1200V 30A TO247-3Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V435 - Immediate$47.14Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LC3M0075120KSICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V547 - Immediate$50.18Wyświetl szczegóły
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120K1200V 40MOHM SIC MOSFETKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V1542 - Immediate$60.50Wyświetl szczegóły
1200V 40 M SIC MOSFETC3M0040120J11200V 40 M SIC MOSFETKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V201 - Immediate$62.48Wyświetl szczegóły
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120D1200V 40MOHM SIC MOSFETKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V559 - Immediate$62.48Wyświetl szczegóły
1200V 32MOHM SIC MOSFETC3M0032120J11200V 32MOHM SIC MOSFETKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V346 - Immediate$81.29Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LC3M0032120KSICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V31 - Immediate$81.29Wyświetl szczegóły
SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-E3M0021120KSIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V601 - Immediate$103.61Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LC3M0021120KSICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V2725 - Immediate$106.58Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3C3M0021120DSICFET N-CH 1200V 100A TO247-3Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V370 - Immediate$103.61Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3C3M0016120DSICFET N-CH 1200V 115A TO247-3Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V798 - Immediate$195.88Wyświetl szczegóły
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-E3M0016120KSIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V645 - Immediate$200.13Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4C3M0016120KSICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V170 - Immediate$195.88Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7C3M0350120JSICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V585 - Immediate$27.19Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7C3M0160120JSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7Kanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V2004 - Immediate$33.23Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LC3M0032120K1MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V670 - Immediate$81.29Wyświetl szczegóły
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETE3M0075120D1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETKanał NSiCFET (węglik krzemu)1200 V127 - Immediate$81.95Wyświetl szczegóły
Published: 2025-01-17

Related Videos

The Power to Make it Real™ – Our Purpose
The Power to Make it Real™ – Our Purpose

Publish Date: 2024-11-07

Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator
Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator

Publish Date: 2024-08-07

Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator
Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator

Publish Date: 2024-08-07

Related Product Highlight

Silicon Carbide (SiC) Solutions for Servo Drives The Wolfspeed portfolio of SiC MOSFETs, Schottky diodes, and power modules enables greater flexibility when designing with silicon carbide in servo drives.
Silicon Carbide Solutions for Industrial Low Voltage Motor Drives The Wolfspeed broad portfolio of SiC MOSFETs and Schottky diodes offers flexibility when designing efficient low-voltage motor drive solutions.
Silicon Carbide Solutions for Heat Pumps and Air Conditioners Wolfspeed silicon carbide solutions enable more efficient heat pumps and air conditioners with minimal redesign.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.
No Hype Here: SiC MOSFETs Are Very Real Although overshadowed by consumer electronics hype, SiC-based MOSFETs are quietly impacting power-related subsystem performance.