Vishay / Siliconix

Tranzystor MOSFET MaxSiC™

Tranzystory MOSFET firmy Vishay zapewniają wyższe parametry działania i znakomitą sprawność w zastosowaniach dużej mocy

Ilustracja przedstawiająca tranzystor MOSFET MaxSiC™ firmy Vishay SiliconixFirma Vishay oferuje węglikowo-krzemowe (SiC) tranzystory MOSFET MaxSiCTM wykorzystujące zastrzeżoną technologię, która zapewnia korzystny kompromis rezystancji w stanie włączenia i parametrów przełączania, a jednocześnie pozwala uzyskać odporne urządzenia o niewielkiej pojemności pasożytniczej, wydłużonym czasie wytrzymywania zwarcia (SCWT), wyższej odporności na jednoczesne przewodzenie (shoot-through) oraz konkurencyjne pole elektryczne warstwy tlenkowej bramki.

Omawiane tranzystory SiC MOSFET oferują konkurencyjny współczynnik dobroci, który wychodzi naprzeciw potrzebom rynkowym w takich zastosowaniach jak przemysłowe przemienniki napędów silnikowych, systemy przetwarzania i magazynowania energii fotowoltaicznej (PV), ładowarki wbudowane, stacje ładowania, serwery (ośrodki przetwarzania danych) oraz zasilacze awaryjne (UPS).

Charakterystyka
  • Duża szybkość przełączania
  • Czas wytrzymywania zwarcia: 3μs
  • Napięcie dren-źródło: 1200V
  • Maksymalna moc rozpraszana: 139W (TC=+25°C)
  • Ciągły prąd drenu: 29A (TC=+25°C)
  • Zakres temperatur roboczych złącza: od -55°C do +150°C
  • Nie zawierają ołowiu i halogenów
  • Dostępne w obudowach TO-247 3L
  • Zgodność z dyrektywą RoHS
Zastosowania
  • Ładowarki
  • Pomocnicze napędy silnikowe
  • Przetwornice prądu stałego

MaxSiC MOSFETs

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$12.95Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A250FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$15.46Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET494 - Immediate$37.26Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A080FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$24.58Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FW-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$48.33Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFETMXP120A045FL-GE3SILICON CARBIDE MOSFET0 - Immediate$49.75Wyświetl szczegóły
Published: 2024-09-03

Related Articles and Blogs

Reduce Losses in High-Voltage Switched-Mode Power Systems with Silicon Carbide MOSFETs Designers can take advantage of silicon carbide (SiC) technology’s core attributes and recent enhancements to increase efficiency and power density.