
MXP120A080FW-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-MXP120A080FW-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | MXP120A080FW-GE3 |
Opis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 33 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 29A (Tc) 139W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3L |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | MXP120A080FW-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 100mOhm przy 20A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,69V przy 5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 47.3 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +22V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1156 pF @ 800 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 139W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-3L | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 37,26000 zł | 37,26 zł |
| 10 | 29,09700 zł | 290,97 zł |
| 25 | 27,05480 zł | 676,37 zł |
| 100 | 24,80860 zł | 2 480,86 zł |
| 250 | 23,73772 zł | 5 934,43 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 37,26000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 45,82980 zł |

