Węglikowo- krzemowe (SiC) diody Schottky’ego 1200 V 3. generacji

Węglikowo-krzemowe (SiC) diody Schottky’ego 1200V 3. generacji firmy Vishay wykorzystują scalone struktury złożone z diody PiN oraz diody Schottky’ego (MPS). Łączą w sobie również wysoką odporność na prądy udarowe oraz niski spadek napięcia w kierunku przewodzenia, ładunek pojemnościowy i wsteczny prąd upływu, co zwiększa sprawność oraz niezawodność w przełączających układach mocy. Struktura złożona z diody PiN oraz diody Schottky’ego (MPS) w omawianym urządzeniu jest cieniowana metodą wyżarzania laserowego, co obniża spadek napięcia w kierunku przewodzenia. Niski typowy wsteczny prąd upływu tych urządzeń zmniejsza straty przewodzenia, zapewniając wysoką sprawność układów w stanie jałowym i przy niskich obciążeniach. W celu dalszego podwyższenia sprawności, diody 3. generacji charakteryzują się również praktycznie zerowym ogonem prądu wstecznego, w przeciwieństwie do diod ultraszybkich.

Omawiane diody mogą być stosowane w układach korekcji współczynnika mocy prądu stałego-zmiennego, w ultrawysokoczęstotliwościowych stopniach wyjściowych prostowników prądu stałego w przetwornicach FPBS i LLC, stosowanych w falownikach solarnych, systemach magazynowania energii, narzędziach i napędach przemysłowych oraz ośrodkach przetwarzania danych.