Name: VS-3C10ET12T-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Price: 33.2223 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VS-3C10ET12T-M3
Numer produktu DigiKey	112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VS-3C10ET12T-M3
Opis	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 1200 V 10A Otwór przelotowy TO-220AC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	1200 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	10A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.5 V @ 10 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	60 µA @ 1200 V
Pojemność przy Vr, F	38pF przy 800V, 1MHz
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AC
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 810

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	27,01000 zł	27,01 zł
50	14,54860 zł	727,43 zł
100	13,34730 zł	1 334,73 zł
500	11,27280 zł	5 636,40 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.