Smart Watch Solution

Toshiba’s smart watch solutions get more performance in a smaller package

Image of Toshiba's Smart Watch Solution Designing power circuitry for smart watches and other wearables can be a challenge due to the expectations of today's consumer: more functionality, longer battery life, and smaller size. Toshiba's discrete components increase available board space and reduce passive current consumption to ensure long battery life. Toshiba offers tiny MOSFETs, diodes, and transistors in addition to feature-rich ICs such as LDO regulators, load switches, and the intelligent eFuse IC.

Power Supply Circuit Solutions

Wireless or contact charging presents design challenges with control and protection from the outside world, whether it is a short circuit condition or EMI.

Toshiba load switches or eFuse ICs can provide precise control in addition to overvoltage and overcurrent protection. These ICs are supported by various FETs and diodes.

Beyond the PMIC, there are requirements for LDOs and switches designed for rails leading to sensitive sensors, chipsets, and other modules. Performance is maximized by implementing low IQ load switches and LDOs which come in tiny wafer-level chip-scale packages.

Image of Toshiba's Power Supply Circuit Solutions Diagram

Interface Circuit Solutions

Another consideration is the interface side of any design. This involves the subsystem which manages sensor outputs and controls displays or wireless modules.

Sensors are becoming increasingly smaller and, as such, require ultra-low offset voltage and low noise op amps to help bring the recorded signal to a readable level. Toshiba offers op amps to address both of these requirements.

In addition, Toshiba offers high speed and high current ESD protection diodes to help manage unwelcome static shock, a concern when designing wearables and other handheld devices. This is achieved with minimal insertion loss, allowing for speeds up to 10 Gbps.

Image of Toshiba's Interface Circuit Solutions Diagram

Application Details Link:

https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/application/smart-watch.html

Key Benefits

  • Wide portfolio of products
  • Reduces the need for board space with smaller packaging
  • Increases battery life by minimizing quiescent current (IQ)
  • Offers application notes and other material to help with design
  • Aids in new protection standards (IEC-62368-1) with eFuse

Supporting Components

MOSFETs

ObrazManufacturer Part NumberOpisNapięcie dren-źródło (Vdss)Rds wł. (maks.) przy Id, VgsVgs (maks.)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3CSSM3J35CTC,L3FMOSFET P-CH 20V 250MA CST3C20 V1,4Ohm przy 150mA, 4,5V±10V19029 - Immediate$0.99Wyświetl szczegóły
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3SSM3J56ACT,L3FMOSFET P-CH 20V 1.4A CST320 V390mOhm przy 800mA, 4,5V1.6 nC @ 4.5 V25659 - Immediate$1.50Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3CSSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C20 V1,1Ohm przy 150mA, 4,5V0.34 nC @ 4.5 V39732 - Immediate$0.92Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3SSM3K56ACT,L3FMOSFET N-CH 20V 1.4A CST320 V235mOhm przy 800mA, 4,5V1 nC @ 4.5 V98475 - Immediate$1.39Wyświetl szczegóły

Load Switch IC

ObrazManufacturer Part NumberOpisInterfejsNapięcie - obciążeniaNapięcie - zasilania (Vcc/Vdd)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK106AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDWł./wył.1,1V - 5,5VNiewymagane30157 - Immediate$1.06Wyświetl szczegóły
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK107AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDWł./wył.1,1V - 5,5VNiewymagane148253 - Immediate$1.06Wyświetl szczegóły
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK108AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDWł./wył.1,1V - 5,5VNiewymagane10177 - Immediate$1.06Wyświetl szczegóły

eFuse IC

ObrazManufacturer Part NumberOpisTemperatura roboczaTyp mocowaniaObudowa / skrzyniaDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
IC ELECTRONIC FUSE 10WSONTCKE805NA,RFIC ELECTRONIC FUSE 10WSON-40°C - 85°C (TA)Montaż powierzchniowy10-WFDFN, podkładka odsłonięta20 - Immediate$5.20Wyświetl szczegóły
IC ELECTRONIC FUSE 10WSONTCKE805NL,RFIC ELECTRONIC FUSE 10WSON-40°C - 85°C (TA)Montaż powierzchniowy10-WFDFN, podkładka odsłonięta2409 - Immediate$5.20Wyświetl szczegóły

LDO Regulators

ObrazManufacturer Part NumberOpisSpadek napięcia (maks.)Prąd - spoczynkowy (Iq)Charakterystyka sterowaniaDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
IC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG12A,LFIC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-F0,857V przy 300mA580 nAAktywacja4400 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły
IC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG18A,LFIC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-F0,457V przy 300mA680 nAAktywacja3197 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły
IC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPFTCR3UG285A,LFIC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPF0,327V przy 300mA680 nAAktywacja5000 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły
IC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG30A,LFIC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-F0,273V przy 300mA680 nAAktywacja7333 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły
IC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG33A,LFIC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-F0,273V przy 300mA680 nAAktywacja13610 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły

FET Driver ICs

ObrazManufacturer Part NumberOpisTyp bramkiNapięcie logiczne - VIL, VIHPrąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPETCK401G,LFIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE-0,4V, 1,6V-57624 - Immediate$1.90Wyświetl szczegóły
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPETCK402G,LFIC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE-0,4V, 1,6V-4846 - Immediate$1.90Wyświetl szczegóły

ESD Diodes for Power Line Protection

ObrazManufacturer Part NumberOpisPrąd - szczytowy impulsowy (10/1000µs)Moc - szczytowa impulsuZabezpieczenie linii zasilającejDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
TVS DIODE 5.5VWM 16VC SL2DF2B7BSL,L3FTVS DIODE 5.5VWM 16VC SL27,3A (8/20µs)115WBrak39940 - Immediate$0.44Wyświetl szczegóły
TVS DIODE 12.6VWM CST2CDF2S14P2CTC,L3FTVS DIODE 12.6VWM CST2C50A-Brak22042 - Immediate$1.10Wyświetl szczegóły

Schottky Barrier Diodes

ObrazManufacturer Part NumberOpisPrędkośćPrąd - wsteczny upływowy przy VrPojemność przy Vr, FDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2CTS520,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2Mały sygnał =< 200mA (Io), dowolna prędkość5 µA @ 30 V16pF przy 0V, 1MHz0 - Immediate$0.51Wyświetl szczegóły
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2CTS521,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2Mały sygnał =< 200mA (Io), dowolna prędkość30 µA @ 30 V25pF przy 0V, 1MHz86741 - Immediate$0.44Wyświetl szczegóły
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2DSF01S30SL,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2Mały sygnał =< 200mA (Io), dowolna prędkość50 µA @ 30 V9,02pF przy 2V, 1MHz2867 - Immediate$0.99Wyświetl szczegóły
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2DSR01S30SL,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2Mały sygnał =< 200mA (Io), dowolna prędkość700 nA @ 30 V8,2pF przy 0V, 1MHz25438 - Immediate$0.81Wyświetl szczegóły

High Speed ESD Diodes

ObrazManufacturer Part NumberOpisPrąd - szczytowy impulsowy (10/1000µs)Moc - szczytowa impulsuZabezpieczenie linii zasilającejDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2DF2B5M4ASL,L3FTVS DIODE 3.6VWM 15VC SL22A (8/20µs)30WBrak925 - Immediate$0.84Wyświetl szczegóły
TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2DF2B6M4ASL,L3FTVS DIODE 5.5VWM 15VC SL22A (8/20µs)30WBrak9014 - Immediate$0.81Wyświetl szczegóły
TVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2DF2B26M4SL,L3FTVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2500mA (8/20µs)19WBrak48380 - Immediate$0.62Wyświetl szczegóły
TVS DIODE 3.3VWM 25VC SL2DF2B5M5SL,L3FTVS DIODE 3.3VWM 25VC SL22,5A (8/20µs)37WBrak0 - Immediate$1.21Wyświetl szczegóły
TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2DF2B6M5SL,L3FTVS DIODE 5VWM 26.5VC SL22,5A (8/20µs)37WBrak9683 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły

Operational Amplifiers

ObrazManufacturer Part NumberOpisTyp wyjściaSzybkość narastaniaPrąd - polaryzacja wejściowaDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
IC CMOS 1 CIRCUIT UFVTC75S67TU,LFIC CMOS 1 CIRCUIT UFV-1V/µs1 pA9922 - Immediate$1.02Wyświetl szczegóły
Published: 2020-05-27