Układ MASTERGAN1 firmy STMicroelectronics jest pierwszym w świecie systemem sterownika półmostkowego 600V z tranzystorami GaN HEMT zamkniętym w jednej obudowie (SiP) i pierwszym elementem platformy MASTERGAN. Układ MASTERGAN1 ma kompaktowe rozmiary, co pozwala tworzyć zasilacze o wysokiej gęstości mocy, nawet czterokrotnie mniejsze w porównaniu z zasilaczami bazującymi na przełącznikach MOSFET, dzięki wyższej częstotliwości przełączania tranzystorów GaN i wysokiej integracji sterownika i dwóch przełączników GaN w tej samej obudowie. Charakteryzuje się on również wytrzymałością. Sterownik offline został zoptymalizowany pod kątem współpracy z tranzystorami GaN HEMT, zapewniając szybkie, skuteczne i bezpieczne sterowanie, a także uproszczenie układu. Zarządzanie dyskretnymi przełącznikami GaN może być trudne, jednak wbudowany sterownik obsługuje przełączniki GaN i upraszcza konstrukcję zasilacza.
Charakterystyka
- System zasilający zawierający sterownik półmostkowy i tranzystory GaN zamknięty w jednej obudowie (SiP)
- Obniżone koszty wykazu materiałów
- Sprawność
- Wytrzymałość
- Uproszczony układ płytki
- Wejścia zgodne z napięciami od 3,3V do 20V
- Napięcie wtyku wejściowego zgodne z szerokim zakresem napięć i niezależne od VCC urządzenia
- Funkcja blokady współzależnej
- Automatyczne zarządzanie blokadą współzależną
Zastosowania
- Zasilacze impulsowe
- Ładowarki i adaptery
- Korekcja współczynnika mocy (PFC) wysokiego napięcia
- Przetwornice prądu stałego oraz zmiennego na stały
- Systemy zasilania awaryjnego (UPS)
- Energia słoneczna
Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Układ MASTERGAN1 firmy STMicroelectronics jest pierwszym w świecie systemem sterownika półmostkowego 600V z tranzystorami GaN HEMT zamkniętym w jednej obudowie (SiP) i pierwszym elementem platformy MASTERGAN. Układ MASTERGAN1 ma kompaktowe rozmiary, co pozwala tworzyć zasilacze o wysokiej gęstości mocy, nawet czterokrotnie mniejsze w porównaniu z zasilaczami bazującymi na przełącznikach MOSFET, dzięki wyższej częstotliwości przełączania tranzystorów GaN i wysokiej integracji sterownika i dwóch przełączników GaN w tej samej obudowie. Charakteryzuje się on również wytrzymałością. Sterownik offline został zoptymalizowany pod kątem współpracy z tranzystorami GaN HEMT, zapewniając szybkie, skuteczne i bezpieczne sterowanie, a także uproszczenie układu. Zarządzanie dyskretnymi przełącznikami GaN może być trudne, jednak wbudowany sterownik obsługuje przełączniki GaN i upraszcza konstrukcję zasilacza.
Polska