onsemi

650 V EliteSiC - Silicon Carbide Diodes

onsemi diodes provide superior switching performance and high reliability

Image of onsemi 650 V Silicon Carbide Diodesonsemi silicon carbide EliteSiC Schottky diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance make silicon carbide the next generation of power semiconductors. System benefits include high efficiency, higher operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Features
  • Easy to parallel
  • High surge current capacitance
  • Max junction temperature: +175°C
  • No reverse recovery/no forward recovery
  • Higher switching frequency
  • Low forward voltage (VF)
  • Positive temperature coefficient
  • AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Applications
  • Automotive HEV-EV DC/DC converters
  • Automotive HEV-EV onboard chargers
  • Industrial power
  • PFC
  • Solar
  • UPS
  • Welding

650 V Silicon Carbide Diodes

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2FFSH5065B-F085DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2530 - Immediate
900 - Factory Stock		$62.29Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472FFSH1065B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO24721565 - Immediate
9900 - Factory Stock		$31.88Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3FFSP2065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-334 - Immediate$27.71Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 650V 20A TO220F2FSFFSPF2065ADIODE SIC 650V 20A TO220F2FS0 - ImmediateSee Page for PricingWyświetl szczegóły
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAKFFSB1065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK1515 - Immediate
4800 - Factory Stock		$16.51Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3FFSH1265BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3576 - Immediate
2250 - Factory Stock		$28.51Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2FFSH1665ADIODE SIL CARB 650V 23A TO247-20 - Immediate
8925 - Marketplace		$16.03Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3FFSH4065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3140 - Immediate$48.71Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFNFFSM1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN4424 - Immediate$15.70Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2FFSH3065BDIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2114 - Immediate
450 - Factory Stock		$25.84Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665B-F085DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO2521938 - Immediate
132500 - Factory Stock		$11.20Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252FFSD1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2523938 - Immediate$12.55Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2522046 - Immediate
2500 - Factory Stock		$13.65Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252433 - Immediate$10.10Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2524744 - Immediate$12.33Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFNFFSM0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN2938 - Immediate
378000 - Factory Stock		$13.76Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFNFFSM0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN2955 - Immediate
159000 - Factory Stock		$12.92Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LFFSP1065ADIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L1425 - Immediate
58400 - Factory Stock		$19.73Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252FFSD2065BDIODE SIL CARB 650V 23.4A TO2521584 - Immediate$19.95Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263FFSB2065BDIODE SIL CARB 650V 22.8A TO2632021 - Immediate$18.30Wyświetl szczegóły

Other Wide Bandgap Solutions

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - ImmediateSee Page for PricingWyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO24720 - Immediate$64.20Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2358 - Immediate
5000 - Factory Stock		$24.01Wyświetl szczegóły
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1231 - Immediate$22.29Wyświetl szczegóły
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Immediate
114000 - Factory Stock		$20.94Wyświetl szczegóły
Published: 2019-11-06

Related Videos

Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing
Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing

Publish Date: 2024-07-15

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Publish Date: 2024-04-03

Related Product Highlight

NTHL SiC MOSFETs onsemi's NTHL SiC MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size.
Wide Bandgap Technologies onsemi offers a robust range of highly efficient & intelligent power components providing a full WBG ecosystem, including a variety of EliteSiC devices to choose from. Find the best fit for your application at DigiKey today!
UHD Power Conversion ON Semi offers a complete portfolio of power products covering a variety of power conversion applications, from MOSFETs, IGBTs, power modules and more. ON Semi is equipped to support engineers in assisting in their creative design innovations.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.
Jak zwiększyć sprawność i niezawodność infrastruktury energetycznej przy jednoczesnym obniżeniu kosztów Jak wykorzystać węglik krzemu (SiC) do zwiększenia sprawności i niezawodności instalacji infrastruktury energetycznej, obniżając ślad węglowy i koszty.