NTHL080N120SC1 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTHL080N120SC1
Numer produktu DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTHL080N120SC1
Opis	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTHL080N120SC1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	44A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	110mOhm przy 20A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1670 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	348W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	NTHL080