Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 4

Filtry

Stosowo

Przewijanie

Wpis wyszukiwania

Wyświetlanie

z 4

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
IRFB4110PBFXKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	988 W magazynie	1 : 11,20000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm przy 75A, 10V	4V przy 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-220AB	TO-220-3
UMWIRFB4110 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB UMW	884 W magazynie	1 : 10,39000 zł Rurka	*	Rurka	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm przy 75A, 10V	4V przy 250µA	-	±20V	-	-	370W (Tc)	-55°C - 155°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4110PBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Infineon Technologies	6 698 W magazynie	1 : 11,20000 zł Rurka	HEXFET®	Rurka	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm przy 75A, 10V	4V przy 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4110GPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Infineon Technologies	0 W magazynie	Nieaktualne	HEXFET®	Rurka	Nieaktualne	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm przy 75A, 10V	4V przy 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	-	370W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-220AB	TO-220-3

Wyświetlanie

z 4

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET z kanałem N: gdzie głównymi nośnikami są elektrony.
Tranzystory MOSFET z kanałem P: gdzie głównymi nośnikami są dziury.

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.