Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 74
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
74Wyniki
Wpis wyszukiwania
Wyświetlanie
z 74
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
DPAK
STD11N50M2
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
STMicroelectronics
2 169
W magazynie
1 : 5,49000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,48003 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
8A (Tc)
10V
530mOhm przy 4A, 10V
4V przy 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
395 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
DPAK
STD9N40M2
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
STMicroelectronics
2 430
W magazynie
1 : 5,60000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,51448 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
400 V
6A (Tc)
10V
800mOhm przy 3A, 10V
4V przy 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
270 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
DPAK
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
4 337
W magazynie
1 : 6,33000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,74146 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
11A (Tc)
10V
380mOhm przy 5,5A, 10V
4V przy 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-220FP
STF7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STMicroelectronics
1 898
W magazynie
1 : 6,37000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
5A (Tc)
10V
950mOhm przy 2,5A, 10V
4V przy 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
DPAK
STD7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
8 084
W magazynie
1 : 6,73000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,87270 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
5A (Tc)
10V
950mOhm przy 2,5A, 10V
4V przy 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-220FP
STF10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
690
W magazynie
1 : 6,77000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
7,5A (Tc)
10V
600mOhm przy 4A, 10V
4V przy 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
TO-220-3
STP7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
STMicroelectronics
1 176
W magazynie
1 : 6,81000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
5A (Tc)
10V
950mOhm przy 2,5A, 10V
4V przy 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
STMicroelectronics
413
W magazynie
1 : 7,39000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
7,5A (Tc)
10V
600mOhm przy 3A, 10V
4V przy 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220
TO-220-3
TO-220FP
STF13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1 263
W magazynie
1 : 7,76000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
11A (Tc)
10V
380mOhm przy 5,5A, 10V
4V przy 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
D²PAK
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STMicroelectronics
4 839
W magazynie
1 : 7,91000 zł
Taśma cięta (CT)
1 000 : 2,51135 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
4,5A (Tc)
10V
1,2Ohm przy 2,25A, 10V
4V przy 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
232 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
TO-220FP
STF18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STMicroelectronics
893
W magazynie
1 : 9,48000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
13A (Tc)
10V
280mOhm przy 6,5A, 10V
4V przy 250µA
21.5 nC @ 10 V
±25V
791 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
TO-263 (D2PAK)
STB28N60M2
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
STMicroelectronics
1 652
W magazynie
1 : 9,96000 zł
Taśma cięta (CT)
1 000 : 3,27716 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
22A (Tc)
10V
150mOhm przy 11A, 10V
4V przy 250µA
36 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
TO-220-3
STP18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STMicroelectronics
267
W magazynie
1 : 10,39000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
13A (Tc)
10V
280mOhm przy 6,5A, 10V
4V przy 250µA
21.5 nC @ 10 V
±25V
791 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220
TO-220-3
STI28N60M2
STI24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
STMicroelectronics
1 170
W magazynie
1 : 11,02000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
18A (Tc)
10V
190mOhm przy 9A, 10V
4V przy 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1060 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-262 (I2PAK)
TO-262-3 długie odpr., I2PAK, TO-262AA
8 PowerVDFN
STL18N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
1 243
W magazynie
1 : 11,64000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 3,62935 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
9A (Tc)
10V
308mOhm przy 4,5A, 10V
4V przy 250µA
21.5 nC @ 10 V
±25V
791 pF @ 100 V
-
57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PowerFlat™ (5x6) HV
8-PowerVDFN
TO-220FP
STF24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
STMicroelectronics
900
W magazynie
1 : 12,19000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
18A (Tc)
10V
190mOhm przy 9A, 10V
4V przy 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1060 pF @ 100 V
-
30W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
TO-220-3
STP24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
STMicroelectronics
691
W magazynie
1 : 12,70000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
18A (Tc)
10V
190mOhm przy 9A, 10V
4V przy 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1060 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220
TO-220-3
TO-263 (D2PAK)
STB40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
STMicroelectronics
2 011
W magazynie
1 : 21,89000 zł
Taśma cięta (CT)
1 000 : 8,51865 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
34A (Tc)
10V
88mOhm przy 17A, 10V
4V przy 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STMicroelectronics
364
W magazynie
1 : 36,12000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
68A (Tc)
10V
40mOhm przy 34A, 10V
4V przy 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5200 pF @ 100 V
-
450W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-247
TO-247-3
DPAK
STD9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
STMicroelectronics
3 616
W magazynie
1 : 6,19000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,70118 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
5,5A (Tc)
10V
780mOhm przy 3A, 10V
4V przy 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
DPAK
STD10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STMicroelectronics
3 682
W magazynie
1 : 6,59000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,82337 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
7,5A (Tc)
10V
600mOhm przy 3A, 10V
4V przy 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
D-PAK
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
TO-220FP
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
1 958
W magazynie
1 : 7,25000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
5,5A (Tc)
10V
780mOhm przy 3A, 10V
4V przy 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
TO-220FP
STF6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
STMicroelectronics
1 867
W magazynie
1 : 7,50000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
600 V
4,5A (Ta)
10V
1,2Ohm przy 2,25A, 10V
4V przy 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
232 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
TO-220FP
STF12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
STMicroelectronics
1 051
W magazynie
1 : 7,83000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
10A (Tc)
10V
380mOhm przy 5A, 10V
4V przy 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
560 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220FP
TO-220-3, pełny pakiet
TO-220-3
STP12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
STMicroelectronics
1 361
W magazynie
1 : 8,27000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
10A (Tc)
10V
380mOhm przy 5A, 10V
4V przy 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
560 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
TO-220
TO-220-3
Wyświetlanie
z 74

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

  • Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
  • Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

  1. Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
  2. Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
  3. Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.