
FDP22N50N | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FDP22N50N-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | FDP22N50N |
Opis | MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 500 V 22A (Tc) 312,5W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FDP22N50N Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 65 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3200 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 312,5W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 500 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220-3 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 220mOhm przy 11A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | 393 | 448-IPP50R250CPXKSA1-ND | 10,56000 zł | Similar |
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | 451 | IPP50R280CEXKSA1-ND | 6,50000 zł | Similar |
| SIHP15N50E-GE3 | Vishay Siliconix | 11 346 | SIHP15N50E-GE3-ND | 11,28000 zł | Similar |
| STP19NM50N | STMicroelectronics | 989 | 497-STP19NM50N-ND | 19,43000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 17,77000 zł | 17,77 zł |
| 50 | 9,22340 zł | 461,17 zł |
| 100 | 8,39640 zł | 839,64 zł |
| 500 | 6,94842 zł | 3 474,21 zł |
| 1 000 | 6,48455 zł | 6 484,55 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 17,77000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 21,85710 zł |








