Name: XP3N9R5AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AMTTR-ND
Price: 3.5547 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP3N9R5AMT
Numer produktu DigiKey	5048-XP3N9R5AMTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP3N9R5AMTCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP3N9R5AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP3N9R5AMT
Opis	MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 18A (Ta), 38,7A (Tc) 5W (Ta), 22,7W (Tc) Montaż powierzchniowy PMPAK® 5 x 6
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	YAGEO XSEMI
Seria	XP3N9R5A
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Ta), 38,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,5mOhm przy 9,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	28.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1280 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 22,7W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PMPAK® 5 x 6
Obudowa / skrzynia	8-PowerLDFN

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 996

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)