Name: XP3N5R0AYT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0AYTTR-ND
Price: 4.182 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP3N5R0AYT
Numer produktu DigiKey	5048-XP3N5R0AYTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP3N5R0AYTCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP3N5R0AYTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP3N5R0AYT
Opis	MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 20A (Ta), 63,5A (Tc) 3,12W (Ta) Montaż powierzchniowy PMPAK® 3 x 3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	YAGEO XSEMI
Seria	XP3N5R0A
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Ta), 63,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5mOhm przy 19A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2800 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,12W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PMPAK® 3 x 3
Obudowa / skrzynia	8-PowerDFN

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)