Name: XP3N2R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N2R8AMTTR-ND
Price: 4.4157 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP3N2R8AMT
Numer produktu DigiKey	5048-XP3N2R8AMTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP3N2R8AMTCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP3N2R8AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP3N2R8AMT
Opis	MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 32,8A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PMPAK (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,8mOhm przy 20A, 10V
Prod. YAGEO XSEMI	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria XP3N2R8A	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 40 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4080 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 50W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32,8A (Ta), 60A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-PMPAK (5x6)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerLDFN